iPhone 6sは高速・低電力の「LPDDR4」 2GBメモリ搭載か、Force Touchの採用も？
台湾のTechNews Taiwanは、今年発売予定の次期iPhone「iPhone 6s」に、LPDDR4規格の2GBメモリ（RAM）と「Force Touch」機能が搭載される可能性が高いと伝えました。
LPDDR4 RAMは、従来よりも高速で消費電力を低く抑えることができ、現行のiPhone 6と6 Plusに使用されている1GBのLPDDR3 RAMよりも大幅なパフォーマンスの改善が見込まれています。
サプライチェーンの関係者によれば、iPhone 6s 向けのLRDDR4 RAMモジュールは、SKハイニクス、サムスン、マイクロン-エルピーダが主要サプライヤになるとのこと。SKハイニクスとマイクロエルピーダはiPhone 6と6 PlusにもRAMを供給しています。またエルピーダは、アップルの要求を満たすレベルまで製造プロセスを改善したことが報じられています。
TechNews Taiwanによれば、iPhone 6sはiPhone 6とデザイン面では変わらないものの、A9プロセッサやデュアルレンズのDSLRカメラなど、内部の改良は施される見通しです。そして、タップ（叩く）やプレス（押す）といった指の動きや圧力の差をディスプレイが感知し判別できる「Force Touch」の搭載が示唆されています。同機能は、間もなくデビューするApple Watchで採用されることが決まっています。
詳細は不明ですが、Forch Touchに対応した、電極センサーを組み込んだフレキシブル有機ELディスプレイがApple Watchに採用されることを考えると、ディスプレイ技術で大幅な転換が期待される次期iPhoneにこの機能が導入される可能性も十分にあり得るでしょう。
via - Mac Rumors
